STW24NM65N-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備25A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為800V，導通電阻典型值為165mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，適用于對開關效率和熱性能要求較高的電力電子系統。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻工作條件下仍能保持較低的開關損耗，適合用于高效率電源轉換、可再生能源逆變器及各類中高壓功率管理場景。
