IPL65R165CFDAUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的連續漏極電流（ID）和800V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為165mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內穩定工作。憑借碳化硅材料的特性，器件在高頻、高溫環境下表現出優異的開關性能與低導通損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換系統，如服務器電源、可再生能源逆變器及高頻率開關電源等場景。
