SPP20N60S5-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅MOSFET具有800V漏源電壓（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻為165mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持可靠的柵極驅(qū)動(dòng)控制，確保開關(guān)過程的穩(wěn)定性。得益于碳化硅材料的高耐壓與耐高溫特性，該器件適用于高頻、高壓的電力轉(zhuǎn)換電路，如高效開關(guān)電源、高壓直流變換模塊及可再生能源發(fā)電中的逆變單元，能夠在嚴(yán)苛的電氣環(huán)境下保持良好的熱管理與長期運(yùn)行性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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