IPL65R200CFD7AUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的漏極電流額定值和800V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為165mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，支持較寬的驅(qū)動(dòng)電平，有助于提升開關(guān)可靠性并降低誤觸發(fā)風(fēng)險(xiǎn)。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓、低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異的高溫工作能力，適用于高頻電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)以及高效率電力電子設(shè)備中的功率開關(guān)環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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