STW28N65M2-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為25A，漏源電壓耐壓達800V，導通電阻為165mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和高頻開關(guān)能力，導通與開關(guān)損耗較低。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場合，如通信電源、光伏逆變系統(tǒng)、不間斷電源及高頻DC-DC變換器等應(yīng)用，可在緊湊布局中實現(xiàn)更高的功率密度與系統(tǒng)效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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