STW20NM65N-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極電流ID為25A，漏源擊穿電壓VDSS為800V，導通電阻RDS(ON)為165mΩ，柵源電壓VGS范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓應用中展現出優異的開關性能和熱穩定性。適用于對效率、體積和散熱有較高要求的電源轉換場合，如高頻開關電源、光伏逆變系統及高功率密度電能變換模塊，能夠在嚴苛電氣環境下保持可靠運行。
