SPP20N65C3XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為165mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動(dòng)控制。基于碳化硅材料的優(yōu)異特性，器件具有較高的開關(guān)速度和耐溫能力，適用于高功率密度的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。廣泛用于高效直流變換器、高壓逆變裝置及大功率開關(guān)電源模塊，在高頻工作條件下仍能保持良好的熱性能與電氣穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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