TW027N65C,S1F_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備99A的連續(xù)漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為26mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高擊穿場強與熱導(dǎo)率，器件在高頻開關(guān)和高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的動態(tài)特性和熱穩(wěn)定性。其低導(dǎo)通電阻有助于降低傳導(dǎo)損耗，而寬VGS范圍則增強了與多種驅(qū)動電路的兼容性，適用于高效電源轉(zhuǎn)換、儲能系統(tǒng)及類似高要求電力電子場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
