NTH027N65S3F-F155-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備108A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻典型值為20mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高熱導率與寬禁帶特性，在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗。其低RDS(on)有助于提升系統整體效率，而較寬的VGS范圍則增強了驅動靈活性和電路兼容性，適用于高功率密度及高效率要求的電源轉換應用。
