FDMS86101A_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有75A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為6.4毫歐。其較低的導通電阻有助于減少導通狀態下的功率損耗，提升系統整體效率。器件適用于中高功率的電源管理、電機控制及開關電源等應用場合，在兼顧電流承載能力與電壓耐受性的基礎上，能夠支持較高頻率的開關操作，滿足對熱穩定性和能效有要求的電子系統設計需求。
