RJK03E1DNS-00#J5-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備40A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為5mΩ。低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，提升系統能效，適用于高頻率開關電源、便攜式設備供電管理以及電機控制等應用場合。其電氣特性支持快速開關動作，在緊湊布局中仍能維持良好的熱穩定性和可靠性。
