TQM075NH10CR_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的額定漏極電流（ID）為75A，最大漏源電壓（VDSS）為100V，導通電阻（RDS(ON)）為6.4毫歐。憑借低導通電阻特性，器件在高電流條件下可有效降低導通損耗，提升能效。適用于開關電源、電機驅動、電池管理系統及高功率電子設備等場景，能夠滿足對高電流承載能力和熱穩定性的需求，在頻繁開關或持續負載運行中保持可靠性能。
