MSJP14N65A-BP-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:306mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有9A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導(dǎo)通電阻為306mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備快速開(kāi)關(guān)特性與較低的導(dǎo)通損耗，在高頻率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高效電能管理等應(yīng)用中表現(xiàn)出良好的性能。其寬柵壓范圍有助于適配多種驅(qū)動(dòng)電路，同時(shí)提升系統(tǒng)在復(fù)雜電氣環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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