IAUC100N10S5L040ATMA1_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）支持120A的連續漏極電流，最大漏源電壓為100V，導通電阻僅為3.6毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升系統能效。適用于高電流、高效率要求的電源管理、電機驅動及高頻開關電路等應用場合。其電氣特性適合在需要快速開關響應和良好熱穩定性的電子系統中使用，能夠可靠地實現高效電能控制與轉換。
