FCH190N65F-F155-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為25A，漏源電壓耐受能力達800V，導通電阻為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低開關損耗與高耐壓特性，適用于高頻電源轉換、光伏逆變、儲能系統及高效率開關電源等場景。其穩定的電氣性能有助于在嚴苛工作條件下維持高效運行，并簡化熱管理設計。
