C3M0025065J1_TO-263-7L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263-7L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:73A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有73A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻低至26mΩ，適用于高效率、高頻率的功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V，具備良好的開(kāi)關(guān)特性與熱穩(wěn)定性，能夠在嚴(yán)苛的電氣環(huán)境中保持可靠運(yùn)行。器件采用碳化硅材料，相較傳統(tǒng)硅基MOSFET顯著降低導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，適合用于對(duì)能效和體積有較高要求的電源系統(tǒng)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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