IXFX120N65X2-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有108A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻低至20mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性。低導通電阻有助于減少功率損耗，提升系統效率，寬柵壓范圍則增強了與不同驅動電路的適配能力，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換場合。
