DIF065SIC030-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:108A 參數(shù)2：VDSS:750V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有108A的連續(xù)漏極電流、750V的漏源擊穿電壓和20mΩ的導(dǎo)通電阻，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)條件下仍能保持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高效率電源系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換裝置以及對(duì)熱性能和功率密度有嚴(yán)格要求的電力電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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