UF3SC065040B7S-HXY_TO-263-7L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:36mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為70A，漏源電壓耐壓達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為36mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低導(dǎo)通損耗與優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高功率密度電力電子裝置。其寬柵壓范圍提升了驅(qū)動(dòng)電路的適配能力，同時(shí)有助于增強(qiáng)開關(guān)過程的穩(wěn)定性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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