SI7460DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:65A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）額定漏極電流（ID）為65A，漏源電壓（VDSS）為60V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為8毫歐，柵源驅(qū)動電壓（VGS）最高可達(dá)20V。器件在中高電流條件下具備良好的導(dǎo)通特性與開關(guān)性能，適用于電源管理、電機(jī)控制、電池保護(hù)及各類高效能開關(guān)電路。其較低的導(dǎo)通電阻有助于降低功耗，提升系統(tǒng)熱穩(wěn)定性，同時(shí)兼容標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平驅(qū)動，便于集成于多種電子系統(tǒng)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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