IAUCN10S7N040ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3.6毫歐。其低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，有助于提升系統效率并減少散熱需求。適用于高電流開關電源、電機控制、電池管理系統及各類需要高效能功率開關的電子裝置，在頻繁開關或持續大電流工作條件下仍能保持穩定性能。
