NTMFS6B05NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備75A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為6.4毫歐。其低導通電阻有助于減少導通狀態下的功率損耗，提升系統整體效率。器件適用于需要高電流處理能力與良好熱穩定性的場合，如開關電源、電機控制、不間斷電源及各類高密度功率轉換模塊，在高頻或大負載條件下仍能維持可靠性能。
