GC20N65Q_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具備25A的連續(xù)漏極電流（ID）和800V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為165mΩ。其柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V，適用于高效率、高頻工作的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。碳化硅材料的采用有效降低了開關(guān)與導(dǎo)通損耗，配合較寬的柵極驅(qū)動電壓窗口，有助于提升系統(tǒng)穩(wěn)定性與控制精度，適合對能效和熱性能有較高要求的應(yīng)用場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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