RJK0366DPA-00#J0-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備50A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，在柵源電壓為20V時導(dǎo)通電阻為6.5毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，適用于對效率和熱性能有較高要求的電源轉(zhuǎn)換電路。典型應(yīng)用場景包括開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)中的功率開關(guān)以及各類高頻率、高效率的電子負(fù)載控制模塊。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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