RS1L180GNTB-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:3.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備100A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為3.7毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統整體效率，適用于高電流開關應用，如直流-直流轉換器、電機控制電路及大功率電源模塊等。器件在高頻開關條件下仍能保持良好的熱穩定性和電氣性能，適合對功率密度和可靠性有較高要求的電子設備。
