IPA65R310CFDXKSA2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:320mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）達9A，導通電阻（RDS(ON)）為320mΩ。柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V，確保器件在多種驅動條件下穩定開關。憑借碳化硅材料的特性，其在高頻開關應用中表現出較低的開關損耗與良好的熱性能，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及緊湊型電力電子設備中的功率管理環節。
