RJK0351DPA-00#J0-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:90A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和90A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）低至3.5毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最高可達±20V。憑借極低的導通電阻和高電流承載能力，器件在大電流開關應用中可有效降低功率損耗與溫升。適用于高效率電源轉換、電機驅動、電池充放電控制以及對熱性能和能效要求嚴苛的電子系統中的功率開關環節。
