IRLR7833PBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有100A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.8毫歐。憑借極低的導通損耗，該器件適用于高效率電源轉換、大電流開關電路及電機驅動等場景，在持續高負載條件下仍能保持較低溫升，有助于提升系統能效與運行可靠性。
