IPP65R225C7XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本N溝道碳化硅MOSFET具備800V漏源電壓（VDSS）與20A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）低至165mΩ，可有效降低導通損耗，提升系統效率。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持穩定柵極驅動控制。基于碳化硅材料特性，器件具有優異的高溫工作性能和快速開關響應能力，適用于高頻率、高功率密度的電力轉換電路。典型應用包括高效直流-直流變換器、大功率開關電源、光伏逆變裝置及高密度電源模塊，適合對熱管理、轉換效率和空間布局有較高要求的電力電子設計場景。
