STF28N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和11A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓、低導通損耗及優異的高溫穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換場景。其寬柵壓范圍提升了驅動兼容性，適合在高頻開關條件下穩定工作，滿足多種電力電子系統對高性能開關器件的需求。
