R6576KNZ4C13-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備70A的連續(xù)漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻低至44mΩ，柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具有優(yōu)異的高頻特性和熱穩(wěn)定性，在高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高性能電力電子設(shè)備中可實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗與更高的功率密度。其電氣參數(shù)適合在嚴(yán)苛工作條件下維持穩(wěn)定運(yùn)行，適用于對(duì)能效和可靠性要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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