SICW020N065H4-BP-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極電流（ID）為108A，漏源擊穿電壓（VDSS）達750V，導通電阻（RDS(on)）為20mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，在高頻開關應用中表現出優異的效率和熱穩定性，適用于高功率電源、可再生能源轉換系統及對體積與能效有嚴苛要求的電力電子裝置。其低導通電阻有助于降低傳導損耗，寬柵壓范圍則提升了驅動兼容性與控制靈活性。
