IXFH60N65X2-4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備55A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻低至45mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強與熱導率，在高頻開關應用中可顯著降低損耗，并提升系統整體效率。適用于對體積、散熱及能效有較高要求的電源架構，可在高溫或高電氣應力條件下維持穩定運行。
