STP24NM65N_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有20A的連續漏極電流和800V的漏源擊穿電壓，導通電阻為165mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。器件采用碳化硅材料，具備優異的高溫性能與開關特性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換場景。其低導通損耗和快速開關能力有助于提升系統整體能效，同時減少散熱設計負擔，適合用于高頻、高電壓的電源管理架構中。
