NVMFS5C426NWFET1G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:219A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:1.2mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備40V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時(shí)，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為1.2毫歐，可承載高達(dá)219A的連續(xù)漏極電流（ID）。其超低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，適用于高效率、大電流的開關(guān)應(yīng)用。器件在高頻操作下保持良好的開關(guān)特性，適合用于電源管理、電機(jī)控制及高密度功率轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景，滿足對(duì)熱性能與電氣穩(wěn)定性要求較高的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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