IPD65R420CFDBTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:9.3A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:410mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、9.3A的連續漏極電流（ID）和410mΩ的導通電阻（RDS(ON)），柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V?；谔蓟璨牧咸匦?，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性，適用于高效率電源、可再生能源轉換系統以及對體積和能效有較高要求的電力電子應用。
