STP18N65M2-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）達9A，導通電阻（RDS(ON)）為306mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗和良好的熱穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源系統，如服務器電源、可再生能源轉換裝置及高頻DC-DC變換器等場合。
