PSMP050N10NS2_T0_00601_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:4.1mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具有120A的連續(xù)漏極電流能力與100V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻低至4.1毫歐。其低RDS(ON)有助于減少導(dǎo)通損耗，在高電流工作條件下維持較高的能效。器件適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源轉(zhuǎn)換場景，可有效支持高頻開關(guān)操作，同時降低系統(tǒng)整體功耗。結(jié)構(gòu)設(shè)計兼顧穩(wěn)定性和響應(yīng)速度，適合用于各類高效能電子設(shè)備中的功率管理模塊。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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