FDD6682_NL-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為5毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態(tài)下的功率損耗，提升整體能效。其高電流承載能力與優(yōu)異的導通特性，使其適用于大電流電源轉換、高效開關電路以及對熱管理要求較高的緊湊型電子設備中。器件在高頻開關條件下仍能保持穩(wěn)定的電氣性能，適合用于需要高效率與高可靠性的電力電子應用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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