STD5N65M6-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5.3A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+19V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、5.3A的連續漏極電流（ID）以及820mΩ的導通電阻（RDS(on)）。其柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至!9V，適用于多種驅動電路配置。基于碳化硅材料的特性，該器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗和良好的熱穩定性，適合用于高效率電源適配器、光伏逆變系統、數據中心供電模塊及便攜式快充設備等應用。
