IPC100N04S51R2ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:219A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:1.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有40V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）低至1.2毫歐，可支持高達219A的連續漏極電流（ID）。其低導通電阻有助于減少導通損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的高電流開關場景。器件結構優化了高頻開關特性，在電源轉換、電機驅動及大功率負載控制等應用中表現出良好的動態響應與穩定性。
