SIR516DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有75A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為100V，導通電阻低至6.4毫歐。其低導通電阻有效減少導通損耗，適用于高效率電源轉換、電機驅動、電池管理系統及大電流開關應用。器件支持快速開關操作，在高頻工作條件下仍能維持較低的溫升和穩定的電氣性能，適合對功率密度和熱管理有較高要求的電子系統。
