DMT10H4M5LPS-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.6毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源轉換與開關應用。器件結構支持高電流承載能力，在高頻開關條件下仍能保持穩定工作特性，適合用于各類高效能電子設備中的功率管理模塊。
