IPD65R600E6ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續漏極電流（ID），在高溫或高頻率工作條件下仍能保持優異的開關性能。其導通電阻（RDS(ON)）為550mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V（VGS），具備良好的柵極耐壓能力，適用于對可靠性要求較高的電源轉換場景。器件采用碳化硅材料，相較傳統硅基MOSFET，在相同封裝下可實現更小的芯片面積與更快的開關速度，適合用于高效率、高功率密度的電力電子應用中。
