PSMN4R8-100PSEQ-HXY_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:4.1mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET額定漏極電流ID為120A，漏源擊穿電壓VDSS為100V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)典型值為4.1毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于在大電流工作時(shí)顯著降低導(dǎo)通損耗，提升整體能效。器件結(jié)構(gòu)支持高效散熱，在高負(fù)載條件下仍可維持穩(wěn)定性能。適用于需要高電流處理能力與低功耗特性的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高頻開關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景，能夠可靠應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛的電氣工作環(huán)境。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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