TK34E10N1,S1X_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:8.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備70A的連續(xù)漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為8.5毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，配合較高的電壓和電流額定值，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及各類需要穩(wěn)定功率開關(guān)性能的電子設(shè)備中。器件在高頻開關(guān)條件下仍能維持良好的熱穩(wěn)定性和電氣特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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