FDP045N10A_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:4.1mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有120A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為100V，導(dǎo)通電阻為4.1毫歐。較低的導(dǎo)通電阻有助于在大電流工作狀態(tài)下減少功率損耗，提升整體效率。適用于高效率電源系統(tǒng)、電機(jī)控制以及各類高頻開關(guān)電路，在維持穩(wěn)定性能的同時(shí)，有助于簡化散熱設(shè)計(jì)并提高功率密度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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