MCP130N10Y-BP_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:4.1mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET器件具有120A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為100V，導(dǎo)通電阻低至4.1毫歐。其高電流承載能力和低導(dǎo)通損耗特性使其適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉(zhuǎn)換與功率管理場景。在開關(guān)應(yīng)用中，該器件可有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率耗散，提升系統(tǒng)整體能效。由于其低RDS(ON)值，在大電流工作條件下仍能維持較低溫升，有助于簡化散熱設(shè)計并提高運行可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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