GT048N10T_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:4.1mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具有120A的連續(xù)漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4.1毫歐。在大電流工作條件下，其極低的導通電阻可顯著減少導通損耗，有助于提升系統(tǒng)效率并降低散熱需求。適用于高功率密度的電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、電機控制及各類需要高效能開關(guān)器件的電子設備中，能夠支持高頻操作并維持穩(wěn)定的電氣性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
