SPD04N60C3BTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:712mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備11A的連續漏極電流，漏源電壓額定值為900V，導通電阻為712mΩ。柵源電壓工作范圍為-8V至@0V，適用于需要高耐壓與可靠開關性能的場合。憑借碳化硅材料的特性，器件在高溫和高頻條件下仍能維持較低的導通與開關損耗，適合用于高效率電源、可再生能源轉換系統及中高功率電力電子設備中的關鍵開關功能。
